Справочник MOSFET. DHE035N04

 

DHE035N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHE035N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 121 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DHE035N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHE035N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1614K  cn wxdh
 dh035n04 dhf035n04 dhi035n04 dhe035n04 dhb035n04 dhd035n04.pdf pdf_icon

DHE035N04

DH035N04/DHF035N04/DHI035N04/DHE035N04/DHB035N04/DHD035N04155A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets used advanced2 DV = 40VDSStrench technology design, provided excellent Rdson andlow gate charge. Which accords with the RoHS standard.R = 2.3mDS(on) (TYP)G12 Features I = 155AD3 S Fast switching High

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: DHE10H037R

 

 
Back to Top

 


 
.