DHE100N03B13 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHE100N03B13  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 325 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 426 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHE100N03B13

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHE100N03B13 даташит

 ..1. Size:1507K  cn wxdh
 dh100n03b13 dhf100n03b13 dhi100n03b13 dhe100n03b13 dhb100n03b13 dhd100n03b13.pdf pdf_icon

DHE100N03B13

DH100N03B13/DHF100N03B13/DHI100N03B13/ DHE100N03B13/DHB100N03B13/DHD100N03B13 100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 3.3m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 100A D 2 Featur

 9.1. Size:1160K  cn wxdh
 dh10h037r dhf10h037r dhi10h037r dhe10h037r.pdf pdf_icon

DHE100N03B13

DH10H037R/DHF10H037R/ DHI10H037R/DHE10H037R 120A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power MOSFETS 2 D VDS = 100V Used advanced Splite Gate technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with RDS = 3.7m (on) (TYP) G the RoHS standard. 1 ID = 120A 3 S 2 Features Fast Switching Low

 9.2. Size:1098K  cn wxdh
 dh10h035r dhf10h035r dhi10h035r dhe10h035r.pdf pdf_icon

DHE100N03B13

DH10H035R/DHF10H035R/ DHI10H035R/DHE10H035R 120A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 3.5m DS(on) (TYP) G standard. 1 I = 120A 3 S D 2 Features Fast switching

Другие IGBT... DHD9Z24, DHDSJ11N65, DHDSJ13N65, DHDSJ5N65, DHDSJ7N65, DHDZ24B31, DHE029N08, DHE035N04, K2611, DHE10H035R, DHE10H037R, DHE16N06, DHE3205A, DHE3N90, DHFSJ8N65, DHFZ24B31, DHI029N08