Справочник MOSFET. DHE16N06

 

DHE16N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHE16N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 607 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DHE16N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHE16N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1349K  cn wxdh
 dh16n06 dhf16n06 dhi16n06 dhe16n06 dhb16n06 dhd16n06.pdf pdf_icon

DHE16N06

DH16N06/DHF16N06/DHI16N06/DHE16N06/DHB16N06/DHD16N0661A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel Enhanced VDMOSFETs Used by the2 DVDSS = 60Vself-aligned planar technology which reduce theconduction loss, improve switching performance andRDS = 16m(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard. ID = 61A3

Другие MOSFET... DHDSJ5N65 , DHDSJ7N65 , DHDZ24B31 , DHE029N08 , DHE035N04 , DHE100N03B13 , DHE10H035R , DHE10H037R , 2N7002 , DHE3205A , DHE3N90 , DHFSJ8N65 , DHFZ24B31 , DHI029N08 , DHI035N04 , DHI100N03B13 , DHI10H035R .

 

 
Back to Top

 


 
.