Справочник MOSFET. DHI029N08

 

DHI029N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHI029N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1030 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для DHI029N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHI029N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1242K  cn wxdh
 dh029n08 dhi029n08 dhe029n08 dh029n08d dh029n08b.pdf pdf_icon

DHI029N08

DH029N08/DHI029N08/DHE029N08/DH029N08D/DH029N08B180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent2 DRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSV = 80VDSSstandard.G R = 2.9mDS(on) (Type)12 Features3 S I = 180AD Fast switching L

Другие MOSFET... DHE100N03B13 , DHE10H035R , DHE10H037R , DHE16N06 , DHE3205A , DHE3N90 , DHFSJ8N65 , DHFZ24B31 , IRFP064N , DHI035N04 , DHI100N03B13 , DHI10H035R , DHI10H037R , DHI16N06 , DHI3205A , DHI3N90 , DHI50N06FZC .

History: DHI100N03B13 | 12N60 | DHI035N04

 

 
Back to Top

 


 
.