Справочник MOSFET. DHI3N90

 

DHI3N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHI3N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для DHI3N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHI3N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1394K  cn wxdh
 dh3n90 dhf3n90 dhi3n90 dhe3n90 dhb3n90 dhd3n90.pdf pdf_icon

DHI3N90

DH3N90/DHF3N90/DHI3N90/DHE3N90/DHB3N90/DHD3N903A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the2 DV = 900VDSSself-aligned planar technology which reduce theconduction loss, improve switching performance andR = 4.7DS(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard.I = 3

Другие MOSFET... DHFZ24B31 , DHI029N08 , DHI035N04 , DHI100N03B13 , DHI10H035R , DHI10H037R , DHI16N06 , DHI3205A , IRF540 , DHI50N06FZC , DHI50N15 , DHI8004 , DHI80N08B22 , DHI8290 , DHI85N08 , DHD8290 , DHD90N03B17 .

History: DHS025N10B | DHS025N06E

 

 
Back to Top

 


 
.