Справочник MOSFET. DHI80N08B22

 

DHI80N08B22 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHI80N08B22
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 292 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для DHI80N08B22

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHI80N08B22 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1310K  cn wxdh
 dh80n08b22 dhf80n08b22 dhi80n08b22 dhe80n08b22 dhb80n08b22 dhd80n08b22.pdf pdf_icon

DHI80N08B22

DH80N08B22/DHF80N08B22/DHI80N08B22/DHE80N08B22/DHB80N08B22/DHD80N08B2280A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 6.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 80A3 S D2 Features

 9.1. Size:1237K  cn wxdh
 dh8004 dhi8004 dhe8004 dh8004d dh8004b.pdf pdf_icon

DHI80N08B22

DH8004/DHI8004/DHE8004/DH8004D/DH8004B180A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent2 DRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSV = 80VDSSstandard.G R = 2.8mDS(on) (Type)12 Features3 S I = 180AD Fast switching Low on resi

Другие MOSFET... DHI10H035R , DHI10H037R , DHI16N06 , DHI3205A , DHI3N90 , DHI50N06FZC , DHI50N15 , DHI8004 , IRFZ44 , DHI8290 , DHI85N08 , DHD8290 , DHD90N03B17 , DHD50N06FZC , DHD80N08B22 , DHD90N045R , DHS025N06 .

History: KP780B9 | NP88N055KLE | RFD8P06E

 

 
Back to Top

 


 
.