DHI85N08 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHI85N08  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 132 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHI85N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHI85N08 даташит

 ..1. Size:903K  cn wxdh
 dh85n08 dhf85n08 dhi85n08 dhe85n08.pdf pdf_icon

DHI85N08

DH85N08/DHF85N08/ DHI85N08/DHE85N08 100A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 6.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 100A D 2 Features Low on resistance Low gate ch

Другие IGBT... DHI16N06, DHI3205A, DHI3N90, DHI50N06FZC, DHI50N15, DHI8004, DHI80N08B22, DHI8290, IRF1404, DHD8290, DHD90N03B17, DHD50N06FZC, DHD80N08B22, DHD90N045R, DHS025N06, DHS025N06E, DHS025N10