Справочник MOSFET. DHI85N08

 

DHI85N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHI85N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 132 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для DHI85N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHI85N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  cn wxdh
 dh85n08 dhf85n08 dhi85n08 dhe85n08.pdf pdf_icon

DHI85N08

DH85N08/DHF85N08/DHI85N08/DHE85N08100A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 6.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 100AD2 Features Low on resistance Low gate ch

Другие MOSFET... DHI16N06 , DHI3205A , DHI3N90 , DHI50N06FZC , DHI50N15 , DHI8004 , DHI80N08B22 , DHI8290 , IRF1404 , DHD8290 , DHD90N03B17 , DHD50N06FZC , DHD80N08B22 , DHD90N045R , DHS025N06 , DHS025N06E , DHS025N10 .

 

 
Back to Top

 


 
.