Справочник MOSFET. DHD80N08B22

 

DHD80N08B22 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHD80N08B22
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 292 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для DHD80N08B22

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHD80N08B22 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1310K  cn wxdh
 dh80n08b22 dhf80n08b22 dhi80n08b22 dhe80n08b22 dhb80n08b22 dhd80n08b22.pdf pdf_icon

DHD80N08B22

DH80N08B22/DHF80N08B22/DHI80N08B22/DHE80N08B22/DHB80N08B22/DHD80N08B2280A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 6.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 80A3 S D2 Features

 6.1. Size:884K  cn wxdh
 dhd80n08.pdf pdf_icon

DHD80N08B22

DHD80N0890A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 6.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 90A3 S D2 Features Fast switching High avalanche current Low on resistanc

 7.1. Size:970K  cn wxdh
 dhd80n03.pdf pdf_icon

DHD80N08B22

DHD80N0340A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 5.2mDS(on) (TYP)standard.13 SI Silicon limit= 76AD2 FeaturesI Package limit 40A=D Low on resis

Другие MOSFET... DHI50N15 , DHI8004 , DHI80N08B22 , DHI8290 , DHI85N08 , DHD8290 , DHD90N03B17 , DHD50N06FZC , 10N60 , DHD90N045R , DHS025N06 , DHS025N06E , DHS025N10 , DHS025N10B , DHS025N10D , DHS025N10E , DHS025N10U .

 

 
Back to Top

 


 
.