DHD90N045R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHD90N045R  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 98 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 652 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHD90N045R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHD90N045R даташит

 ..1. Size:1390K  cn wxdh
 dh90n045r dhf90n045r dhi90n045r dhe90n045r dhb90n045r dhd90n045r.pdf pdf_icon

DHD90N045R

DH90N045R/DHF90N045R/DHI90N045R DHE90N045R/DHB90N045R/DHD90N045R 120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 98V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.6m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 120A D 2 Feature

 7.1. Size:1086K  cn wxdh
 dhb90n03b17 dhd90n03b17.pdf pdf_icon

DHD90N045R

DHB90N03B17/DHD90N03B17 90A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 4.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 90A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast

Другие IGBT... DHI8004, DHI80N08B22, DHI8290, DHI85N08, DHD8290, DHD90N03B17, DHD50N06FZC, DHD80N08B22, AO3400, DHS025N06, DHS025N06E, DHS025N10, DHS025N10B, DHS025N10D, DHS025N10E, DHS025N10U, DHS025N88