Справочник MOSFET. DHD90N045R

 

DHD90N045R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHD90N045R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 98 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 652 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для DHD90N045R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHD90N045R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1390K  cn wxdh
 dh90n045r dhf90n045r dhi90n045r dhe90n045r dhb90n045r dhd90n045r.pdf pdf_icon

DHD90N045R

DH90N045R/DHF90N045R/DHI90N045RDHE90N045R/DHB90N045R/DHD90N045R120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 98VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 4.6mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 120AD2 Feature

 7.1. Size:1086K  cn wxdh
 dhb90n03b17 dhd90n03b17.pdf pdf_icon

DHD90N045R

DHB90N03B17/DHD90N03B1790A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 4.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 90AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast

Другие MOSFET... DHI8004 , DHI80N08B22 , DHI8290 , DHI85N08 , DHD8290 , DHD90N03B17 , DHD50N06FZC , DHD80N08B22 , IRF3710 , DHS025N06 , DHS025N06E , DHS025N10 , DHS025N10B , DHS025N10D , DHS025N10E , DHS025N10U , DHS025N88 .

History: EN6005 | F10N50

 

 
Back to Top

 


 
.