Справочник MOSFET. E740

 

E740 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: E740
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для E740

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

E740 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1411K  cn wxdh
740 f740 i740 e740 b740 d740.pdfpdf_icon

E740

740/F740/I740/E740/B740/D74010A 400V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the2 DV = 400VDSSself-aligned planar technology which reduce the conductionloss, improve switching performance and enhance theR = 0.44DS(on)(TYP)Gavalanche energy. Which accords with the RoHS standard.1I = 10A3 S D2 Featu

 0.1. Size:508K  cn sino-ic
se7401u.pdfpdf_icon

E740

SHANGHAI July 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7401U 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:B General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide For a single mosfet the best combination of fast switching, low VDS = -20 V on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 120m @ VGS=-4.50V @Ids=-2.0A RDS(ON) = 150m @ VGS=-2.50V @Ids=-1.8A Gene

 0.2. Size:512K  cn sino-ic
se7401p.pdfpdf_icon

E740

SHANGHAI July 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE7401P 20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision:B General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide For a single mosfet the best combination of fast switching, low VDS = -20 V on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON) = 120m @ VGS=-4.50V @Ids=-2.0A RDS(ON) = 150m @ VGS=-2.50V @Ids=-1.8A Gene

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: E110N04 | CS1N65A1

 

 
Back to Top

 


 
.