DHZ24B31 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DHZ24B31
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 92.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO220
DHZ24B31 Datasheet (PDF)
dhz24b31 dhfz24b31 dhiz24b31 dhez24b31 dhbz24b31 dhdz24b31.pdf
DHZ24B31/DHFZ24B31/DHIZ24B31/ DHEZ24B31/DHBZ24B31/DHDZ24B31 30A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 24m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 30A D 2 Features Low on resist
Другие MOSFET... E80N06 , ED120N10ZR , EN6005 , F10N50 , F10N60 , F10N70 , F10N80 , F110N04 , 13N50 , DJC070N60F , DJC070N65M2 , DJD380N65T , DJD420N70T , DJF380N65T , DJF420N70T , DSB150N10L3 , DSB190N10L3 .
History: SL65N10Q | DJC070N65M2 | TK8Q60W
History: SL65N10Q | DJC070N65M2 | TK8Q60W
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet


