DJC070N65M2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DJC070N65M2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 781 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DJC070N65M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DJC070N65M2 даташит

 ..1. Size:960K  cn wxdh
 djc070n65m2.pdf pdf_icon

DJC070N65M2

DJC070N65M2 70A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description This N-channel enhanced vdmosfets, is using advanced super junction technology and design to provide excellent 2 D V = 650V DSS Rds(on) with low gate charge. Which accords with the R =63m DS(on) (TYP) G RoHS standard. 1 I = 70A D 3 S 2 Features Fast switching Low on resistance

 6.1. Size:1250K  cn wxdh
 djc070n60f.pdf pdf_icon

DJC070N65M2

DJC070N60F 42A 600V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is using advanced 2 D V = 600V DSS super junction technology and design to provide excellent Rdson with low gate charge. Which accords with the R = 61m DS(on) (TYP) G RoHS standard. 1 I = 42A 3 S D 2 Features Fast Recovery Time Low on resistance Low gate c

Другие IGBT... EN6005, F10N50, F10N60, F10N70, F10N80, F110N04, DHZ24B31, DJC070N60F, 12N60, DJD380N65T, DJD420N70T, DJF380N65T, DJF420N70T, DSB150N10L3, DSB190N10L3, DSD040N08N3A, DSD065N04LA