Справочник MOSFET. DJC070N65M2

 

DJC070N65M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DJC070N65M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 781 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 94 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DJC070N65M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DJC070N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:960K  cn wxdh
 djc070n65m2.pdf pdf_icon

DJC070N65M2

DJC070N65M2 70A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description This N-channel enhanced vdmosfets, is using advanced super junction technology and design to provide excellent 2 DV = 650V DSSRds(on) with low gate charge. Which accords with the R =63m DS(on) (TYP)GRoHS standard. 1I = 70A D3 S2 Features Fast switching Low on resistance

 6.1. Size:1250K  cn wxdh
 djc070n60f.pdf pdf_icon

DJC070N65M2

DJC070N60F42A 600V N-channel Super Junction Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is using advanced2 DV = 600VDSSsuper junction technology and design to provide excellentRdson with low gate charge. Which accords with theR = 61mDS(on) (TYP)GRoHS standard.1I = 42A3 S D2 Features Fast Recovery Time Low on resistance Low gate c

Другие MOSFET... EN6005 , F10N50 , F10N60 , F10N70 , F10N80 , F110N04 , DHZ24B31 , DJC070N60F , 4N60 , DJD380N65T , DJD420N70T , DJF380N65T , DJF420N70T , DSB150N10L3 , DSB190N10L3 , DSD040N08N3A , DSD065N04LA .

 

 
Back to Top

 


 
.