DHS160N100D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHS160N100D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 153 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHS160N100D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS160N100D даташит

 ..1. Size:832K  cn wxdh
 dhs160n100b dhs160n100d.pdf pdf_icon

DHS160N100D

DHS160N100B&DHS160N100D 45A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced SGT trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 18m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 45A D 2 Features Low on resistance Low gate charge

Другие IGBT... DSD270N12N3, DHS110N15, DHS110N15D, DHS110N15E, DHS110N15F, DHS130N06B, DHS130N06D, DHS160N100B, SI2302, DHS180N10L, DHS180N10LB, DHS180N10LD, DHS180N10LE, DHS180N10LF, DHS180N10LI, DHS250N10D, DHS400N10D