DHS180N10LD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHS180N10LD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHS180N10LD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS180N10LD даташит

 ..1. Size:1243K  cn wxdh
 dhs180n10l dhs180n10lf dhs180n10li dhs180n10le dhs180n10lb dhs180n10ld.pdf pdf_icon

DHS180N10LD

DHS180N10L/DHS180N10LF/DHS180N10LI/ DHS180N10LE/DHS180N10LB/DHS180N10LD 47A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced SGT trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 18m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 47A D 2 Features

 ..2. Size:1258K  cn wxdh
 dhs180n10ld.pdf pdf_icon

DHS180N10LD

DHS180N10LD 100V/15m /50A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 15m ID 100% single pulse avalanche energy test 50A Ciss@10V 100% VDS test 1076pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 2nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery Management Sy

Другие IGBT... DHS110N15E, DHS110N15F, DHS130N06B, DHS130N06D, DHS160N100B, DHS160N100D, DHS180N10L, DHS180N10LB, 20N50, DHS180N10LE, DHS180N10LF, DHS180N10LI, DHS250N10D, DHS400N10D, DTE043N04NA, DTG018N04N, DTG023N03L