Справочник MOSFET. DHS044N12E

 

DHS044N12E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHS044N12E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 106 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1023 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DHS044N12E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS044N12E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:824K  cn wxdh
 dhs044n12 dhs044n12e.pdf pdf_icon

DHS044N12E

DHS044N12/DHS044N12E160A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 120VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 3.7mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 160AD2 Features Low on resistance Low gate charge

 5.1. Size:819K  cn wxdh
 dhs044n12.pdf pdf_icon

DHS044N12E

DHS044N12160A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFET2 DV = 120VDSSutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichprovides excellent Rdson and low Gate charge at the sameGR = 3.7mDS(on) (TYP)time. Which accords with the RoHS standard.13 SI = 160AD2 Features Low on resistance Low gat

 5.2. Size:961K  cn wxdh
 dhs044n12u.pdf pdf_icon

DHS044N12E

DHS044N12U270A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFET2 DV = 120VDSutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichprovides excellent Rdson and low Gate charge at the sameGR = 2.7mDS(on) (TYP)time. Which accords with the RoHS standard. 13 SI = 270AD2 Features Low on resistance Low gate

 9.1. Size:1350K  cn wxdh
 dhs045n88 dhs045n88f dhs045n88i dhs045n88e dhs045n88b dhs045n88d.pdf pdf_icon

DHS044N12E

DHS045N88/DHS045N88F/DHS045N88I/DHS045N88E/DHS045N88B/DHS045N88D120A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 4.6mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 120AD2 Featur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.