DSP032N08NA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DSP032N08NA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 923 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8L
Аналог (замена) для DSP032N08NA
DSP032N08NA Datasheet (PDF)
dsp032n08na.pdf
DSP032N08NA170A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 2.4mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI =170AD2 Features AEC-Q101 qualified Fast switching Low o
dsp037n08n3.pdf
DSP037N08N3 80V/3.4m/100A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 80VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 3.4m 100% single pulse avalanche energy test VTH 3VID(Silicon limit ) 100% VDS test 133AID(Package limit ) Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 100ACiss@10V3402pFQgd 21nCApplications Power switching ap
dsp038n08na.pdf
DSP038N08NA130A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 3.2mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI =130AD2 Features Fast switching Low on resistance Low g
Другие MOSFET... DHS045N85B , DHS045N85D , DHS045N85E , DHS045N85F , DHS045N85I , DHS045N88 , DHS045N88B , DSP018N04LA , IRFP460 , DSP037N08N3 , DSP038N08NA , DSP051N10N , DSP060N04LA , DSP070N10L3A , DSU007N04NA , DSU011N08N3A , DSU021N10NA .
History: DHS045N98F | DSG070N10L3 | DHS045N88B
History: DHS045N98F | DSG070N10L3 | DHS045N88B
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP40P04DF | AP40P04D | AP40P03DF | AP40P02D | AP40N20MP | AP40N10P | AP40N03S | AP40N02D | AP30P03D | AP30P02DF | AP30P01DF | AP30N20P | AP30N15D | AP30N10Y | AP260N12TLG1 | AP6G03LI
Popular searches
bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor




