DSU023N10N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DSU023N10N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 281 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2322 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
Тип корпуса: TOLL
Аналог (замена) для DSU023N10N3
DSU023N10N3 Datasheet (PDF)
dsu023n10n3.pdf

DSU023N10N3 100V/2m/281A N-MOSFET Features Key ParametersVDS 100V Advanced SGT2 silicon technology utilized Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)typ. 2mID 281A Low reverse transfer capacitances 100% single pulse avalanche energy test Vth 3VCiss@10V 12750pF 100% VDS test Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 24.3nCApplications
dsu021n10na.pdf

DSU021N10NA300A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFET2 DV = 100VDSutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichprovides excellent Rdson and low Gate charge at the sameR = 1.6mDS(on) (TYP)Gtime. Which accords with the RoHS standard.1I = 300AD3 S2 Features Low on resistance Low ga
dsu024n10n3a.pdf

DSU024N10N3A 100V/1.8m/272A N-MOSFET Features Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 100VRDS(on)typ. Low on resistance 1.8m Low reverse transfer capacitances VTH 3VID 100% single pulse avalanche energy test 272ACiss@10V 100% VDS test 7035pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 27nCApplications Power switching applications
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DSN108N20N | DSG270N12N3 | DSG140N12N3 | DSG108N20NA | DSG070N15NA | DSG070N10L3 | DSG059N15NA | DSG054N10N3 | DSG053N08N3 | DSG052N14N | DSG048N08N3 | DSG047N08N3 | DSG045N14N | DSG041N08NA | DSG030N10N3 | DSG028N10NA
Popular searches
irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet