DSU035N14N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSU035N14N3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 135 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 225 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: TOLL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSU035N14N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSU035N14N3 даташит

 ..1. Size:1417K  cn wxdh
 dsu035n14n3.pdf pdf_icon

DSU035N14N3

DSU035N14N3 135V/3.3m /225A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 135V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 3.3m 100% single pulse avalanche energy test VTH 3V ID 100% VDS test 225A Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 7463pF Qgd 23nC Applications Power switching applications DC-DC converters Fu

 6.1. Size:638K  cn wxdh
 dsu035n10n3a.pdf pdf_icon

DSU035N14N3

DSU035N10N3A 100V/2.9m /190A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 100V RDS(on)typ. Low on resistance 2.9m ID Low reverse transfer capacitances 190A 100% single pulse avalanche energy test Ciss@10V 4532pF 100% VDS test Qgd 23nC Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Applications Power switching applications DC-DC conv

Другие IGBT... DSP060N04LA, DSP070N10L3A, DSU007N04NA, DSU011N08N3A, DSU021N10NA, DSU023N10N3, DSU024N10N3A, DSU035N10N3A, AON6414A, DTD080N07N, DTE025N04NA, DHS031N07P, DHS035N10, DHS035N10E, DHS035N88, DHS035N88E, DHS035N88I