Справочник MOSFET. DSU035N14N3

 

DSU035N14N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSU035N14N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 135 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 225 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 108 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для DSU035N14N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSU035N14N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1417K  cn wxdh
 dsu035n14n3.pdf pdf_icon

DSU035N14N3

DSU035N14N3 135V/3.3m/225A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 135VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 3.3m 100% single pulse avalanche energy test VTH 3VID 100% VDS test 225ACiss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 7463pFQgd 23nCApplications Power switching applications DC-DC converters Fu

 6.1. Size:638K  cn wxdh
 dsu035n10n3a.pdf pdf_icon

DSU035N14N3

DSU035N10N3A100V/2.9m/190A N-MOSFETFeatures Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 100VRDS(on)typ. Low on resistance 2.9mID Low reverse transfer capacitances 190A 100% single pulse avalanche energy test Ciss@10V 4532pF 100% VDS test Qgd 23nC Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliantApplications Power switching applications DC-DC conv

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.