DSG045N14N - описание и поиск аналогов

 

DSG045N14N - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DSG045N14N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 135 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для DSG045N14N

 

DSG045N14N технические параметры

 ..1. Size:1037K  cn wxdh
 dse043n14n dsg045n14n.pdf pdf_icon

DSG045N14N

DSE043N14N&DSG045N14N 180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description 2 D V =135V DSS This N-channel enhancement mode power MOSFET utilizes advanced Split Gate Trench technology, which R =3.7m TO-263 DS(on) (TYP) G provides excellent Rdson and low Gate charge at the same 1 R =3.9m TO-220 DS(on) (TYP) time. Which accords with the RoHS standard. 3 S I

 9.1. Size:1084K  cn wxdh
 dsg047n08n3 dse047n08n3.pdf pdf_icon

DSG045N14N

DSG047N08N3&DSE047N08N3 120A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 80V DSS advanced splite gate trench technology design, provided R = 3.9m T0-220 DS(on) (TYP) excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G the RoHS standard. R = 3.7m T0-263 DS(on) (TYP) 1 3 S I = 120A D 2 F

 9.2. Size:835K  cn wxdh
 dsg048n08n3.pdf pdf_icon

DSG045N14N

DSG048N08N3 120A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.1m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 120A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low g

 9.3. Size:901K  cn wxdh
 dsg041n08na.pdf pdf_icon

DSG045N14N

DSG041N08NA 180A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 3.4m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 180A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low g

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DHS045N98B , DHS045N98D , DHS045N98E , DHS045N98F , DHS045N98I , DSG028N10NA , DSG030N10N3 , DSG041N08NA , K4145 , DSG047N08N3 , DSG048N08N3 , DSG052N14N , DSG053N08N3 , DSG054N10N3 , DSG059N15NA , DSG070N10L3 , DSG070N15NA .

 

 
Back to Top

 


 
.