DSG047N08N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSG047N08N3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 705 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSG047N08N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSG047N08N3 даташит

 ..1. Size:1084K  cn wxdh
 dsg047n08n3 dse047n08n3.pdf pdf_icon

DSG047N08N3

DSG047N08N3&DSE047N08N3 120A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 80V DSS advanced splite gate trench technology design, provided R = 3.9m T0-220 DS(on) (TYP) excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G the RoHS standard. R = 3.7m T0-263 DS(on) (TYP) 1 3 S I = 120A D 2 F

 9.1. Size:1037K  cn wxdh
 dse043n14n dsg045n14n.pdf pdf_icon

DSG047N08N3

DSE043N14N&DSG045N14N 180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description 2 D V =135V DSS This N-channel enhancement mode power MOSFET utilizes advanced Split Gate Trench technology, which R =3.7m TO-263 DS(on) (TYP) G provides excellent Rdson and low Gate charge at the same 1 R =3.9m TO-220 DS(on) (TYP) time. Which accords with the RoHS standard. 3 S I

 9.2. Size:835K  cn wxdh
 dsg048n08n3.pdf pdf_icon

DSG047N08N3

DSG048N08N3 120A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.1m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 120A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low g

 9.3. Size:901K  cn wxdh
 dsg041n08na.pdf pdf_icon

DSG047N08N3

DSG041N08NA 180A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 3.4m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 180A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low g

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DHS045N98D, DHS045N98E, DHS045N98F, DHS045N98I, DSG028N10NA, DSG030N10N3, DSG041N08NA, DSG045N14N, 13N50, DSG048N08N3, DSG052N14N, DSG053N08N3, DSG054N10N3, DSG059N15NA, DSG070N10L3, DSG070N15NA, DSG108N20NA