Справочник MOSFET. DSG048N08N3

 

DSG048N08N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSG048N08N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 639 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: TO220C
 

 Аналог (замена) для DSG048N08N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSG048N08N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:835K  cn wxdh
 dsg048n08n3.pdf pdf_icon

DSG048N08N3

DSG048N08N3120A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 4.1mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 120AD2 Features Fast switching Low on resistance Low g

 9.1. Size:1084K  cn wxdh
 dsg047n08n3 dse047n08n3.pdf pdf_icon

DSG048N08N3

DSG047N08N3&DSE047N08N3120A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedR = 3.9mT0-220DS(on) (TYP)excellent Rdson and low gate charge. Which accords withGthe RoHS standard. R = 3.7mT0-263DS(on) (TYP)13 SI = 120AD2 F

 9.2. Size:1037K  cn wxdh
 dse043n14n dsg045n14n.pdf pdf_icon

DSG048N08N3

DSE043N14N&DSG045N14N180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 Description2 D V =135VDSSThis N-channel enhancement mode power MOSFETutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichR =3.7mTO-263DS(on) (TYP)Gprovides excellent Rdson and low Gate charge at the same1R =3.9mTO-220DS(on) (TYP)time. Which accords with the RoHS standard.3 SI

 9.3. Size:901K  cn wxdh
 dsg041n08na.pdf pdf_icon

DSG048N08N3

DSG041N08NA180A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 3.4mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 180AD2 Features Fast switching Low on resistance Low g

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DHS045N98E , DHS045N98F , DHS045N98I , DSG028N10NA , DSG030N10N3 , DSG041N08NA , DSG045N14N , DSG047N08N3 , RFP50N06 , DSG052N14N , DSG053N08N3 , DSG054N10N3 , DSG059N15NA , DSG070N10L3 , DSG070N15NA , DSG108N20NA , DSG140N12N3 .

 

 
Back to Top

 


 
.