DSG070N15NA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSG070N15NA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 598 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSG070N15NA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSG070N15NA даташит

 ..1. Size:855K  cn wxdh
 dsg070n15na.pdf pdf_icon

DSG070N15NA

DSG070N15NA 140A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description 2 D V =150V DSS This N-channel enhancement mode power MOSFET utilizes advanced Split Gate Trench technology, which G R = 5.9m DS(on) (TYP) provides excellent Rdson and low Gate charge at the same 1 time. Which accords with the RoHS standard. 3 S I = 140A D 2 Features Low on resistance Low ga

 6.1. Size:1284K  cn wxdh
 dsg070n10l3.pdf pdf_icon

DSG070N15NA

DSG070N10L3 100V/5.9m /100A N-MOSFET Features Key Parameters Low on resistance VDS 100V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 5.9m 100% single pulse avalanche energy test ID 100A 100% VDS test Vth 1.7V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Ciss@10V 2690pF Qgd 12nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery Mana

Другие IGBT... DSG045N14N, DSG047N08N3, DSG048N08N3, DSG052N14N, DSG053N08N3, DSG054N10N3, DSG059N15NA, DSG070N10L3, IRF530, DSG108N20NA, DSG140N12N3, DSG270N12N3, DSN108N20N, DHS025N88E, DHS025N88F, DHS025N88I, DHS030N88