DSE065N10L3A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSE065N10L3A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 713 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSE065N10L3A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSE065N10L3A даташит

 ..1. Size:1305K  cn wxdh
 dse065n10l3a.pdf pdf_icon

DSE065N10L3A

DSE065N10L3A 100V/5.6m /103A N-MOSFET Features Key Parameters AEC-Q101 qualified VDS 100V Low on resistance RDS(on)typ. 5.6m Low reverse transfer capacitances ID 103A 100% single pulse avalanche energy test Vth 1.7V 100% VDS test Ciss@10V 2690pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 12nC Applications Motor Control and Drive Charge/Di

Другие IGBT... DSE026N10NA, DSE028N10N3, DSE043N14N, DSE047N08N3, DSE050N14N, DSE051N08N3, DSE054N10N3, DSE058N15NA, 2N60, DSE108N20NA, DSE140N12N3, DSE270N12N3, DSG014N04N, DSG019N04L, DSG024N10N3, DHS052N10D, DHS052N10E