DSE065N10L3A - аналоги и даташиты транзистора

 

DSE065N10L3A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DSE065N10L3A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 713 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DSE065N10L3A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSE065N10L3A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1305K  cn wxdh
 dse065n10l3a.pdf pdf_icon

DSE065N10L3A

DSE065N10L3A100V/5.6m/103A N-MOSFETFeatures Key Parameters AEC-Q101 qualified VDS 100V Low on resistance RDS(on)typ. 5.6m Low reverse transfer capacitances ID 103A 100% single pulse avalanche energy test Vth 1.7V 100% VDS test Ciss@10V 2690pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 12nCApplications Motor Control and Drive Charge/Di

Другие MOSFET... DSE026N10NA , DSE028N10N3 , DSE043N14N , DSE047N08N3 , DSE050N14N , DSE051N08N3 , DSE054N10N3 , DSE058N15NA , IRFZ48N , DSE108N20NA , DSE140N12N3 , DSE270N12N3 , DSG014N04N , DSG019N04L , DSG024N10N3 , DHS052N10D , DHS052N10E .

 

 
Back to Top

 


 
.