Справочник MOSFET. DSE140N12N3

 

DSE140N12N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSE140N12N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DSE140N12N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSE140N12N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1506K  cn wxdh
 dsg140n12n3 dse140n12n3.pdf pdf_icon

DSE140N12N3

DSG140N12N3&DSE140N12N3 120V/12m/70A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 120VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 12mID 100% single pulse avalanche energy test 70ACiss@10V 100% VDS test 1901pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 4.7nCApplications Power switching applications DC-DC converters F

Другие MOSFET... DSE043N14N , DSE047N08N3 , DSE050N14N , DSE051N08N3 , DSE054N10N3 , DSE058N15NA , DSE065N10L3A , DSE108N20NA , MMIS60R580P , DSE270N12N3 , DSG014N04N , DSG019N04L , DSG024N10N3 , DHS052N10D , DHS052N10E , DHS052N10F , DHS052N10I .

History: I640 | 2SK1013-01

 

 
Back to Top

 


 
.