DSE140N12N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DSE140N12N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для DSE140N12N3
DSE140N12N3 Datasheet (PDF)
dsg140n12n3 dse140n12n3.pdf

DSG140N12N3&DSE140N12N3 120V/12m/70A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 120VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 12mID 100% single pulse avalanche energy test 70ACiss@10V 100% VDS test 1901pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 4.7nCApplications Power switching applications DC-DC converters F
Другие MOSFET... DSE043N14N , DSE047N08N3 , DSE050N14N , DSE051N08N3 , DSE054N10N3 , DSE058N15NA , DSE065N10L3A , DSE108N20NA , MMIS60R580P , DSE270N12N3 , DSG014N04N , DSG019N04L , DSG024N10N3 , DHS052N10D , DHS052N10E , DHS052N10F , DHS052N10I .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMH65R190PSFD | JMH65R190PFFD | JMH65R190PEFD | JMH65R190PCFD | JMH65R190AW | JMH65R190AS | JMH65R190APLNFD | JMH65R190APLN | JMH65R190AFFD | JMH65R190AF | JMH65R190AE | JMH65R190ACFP | JMH65R190ACFDQ | JMH65R190AC | JMSH1509PG | JMSH1509PE
Popular searches
tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent