DSE270N12N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSE270N12N3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSE270N12N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSE270N12N3 даташит

 ..1. Size:1410K  cn wxdh
 dsg270n12n3 dse270n12n3.pdf pdf_icon

DSE270N12N3

DSG270N12N3&DSE270N12N3 120V/25m /36A N-MOSFET Features Key Parameters Low on resistance VDS 120V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 25m 100% single pulse avalanche energy test ID 36A 100% VDS test Ciss@10V 950pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 3.3nC Applications Power switching applications DC-DC converters Full bri

Другие IGBT... DSE047N08N3, DSE050N14N, DSE051N08N3, DSE054N10N3, DSE058N15NA, DSE065N10L3A, DSE108N20NA, DSE140N12N3, IRFZ24N, DSG014N04N, DSG019N04L, DSG024N10N3, DHS052N10D, DHS052N10E, DHS052N10F, DHS052N10I, DHS052N10P