Справочник MOSFET. DSE270N12N3

 

DSE270N12N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSE270N12N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DSE270N12N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSE270N12N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1410K  cn wxdh
 dsg270n12n3 dse270n12n3.pdf pdf_icon

DSE270N12N3

DSG270N12N3&DSE270N12N3120V/25m/36A N-MOSFETFeatures Key Parameters Low on resistance VDS 120V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 25m 100% single pulse avalanche energy test ID 36A 100% VDS test Ciss@10V 950pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 3.3nCApplications Power switching applications DC-DC converters Full bri

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.