Справочник MOSFET. DHS052N10D

 

DHS052N10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHS052N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 74 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 163 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DHS052N10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS052N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1375K  cn wxdh
 dhs052n10 dhs052n10f dhs052n10i dhs052n10e dhs052n10b dhs052n10d.pdf pdf_icon

DHS052N10D

DHS052N10/DHS052N10F/DHS052N10IDHS052N10E/DHS052N10B/DHS052N10D110A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 5.1mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 110AD2 Featu

 5.1. Size:777K  cn wxdh
 dhs052n10p.pdf pdf_icon

DHS052N10D

DHS052N10P99A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 5.2mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 99AD2 Features Fast switching Low on resistance Low g

 9.1. Size:769K  cn wxdh
 dhs051n10p.pdf pdf_icon

DHS052N10D

DHS051N10P108A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced Splite gate technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.0mDS(on) (TYP)G1standard.I = 108A3 S D2 Features Fast switching Low on resistance Low gate ch

 9.2. Size:875K  cn wxdh
 dhs055n07b dhs055n07d.pdf pdf_icon

DHS052N10D

DHS055N07B/DHS055N07D95A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced splite gate trench technology design, provided V =68V2 D DSSexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR = 6.0mDS(on) (TYP)the RoHS standard.G1I = 95AD3 S2 Features Fast switching Low on resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.