HUF75631S3S - описание и поиск аналогов

 

HUF75631S3S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUF75631S3S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для HUF75631S3S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75631S3S даташит

 ..1. Size:202K  fairchild semi
 huf75631s3s.pdf pdf_icon

HUF75631S3S

HUF75631P3, HUF75631S3ST Data Sheet December 2001 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features SOURCE DRAIN DRAIN (FLANGE) Ultra Low On-Resistance GATE - rDS(ON) = 0.040 , VGS = 10V GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN (FLANGE) - Spice an

 0.1. Size:200K  fairchild semi
 huf75631s3st.pdf pdf_icon

HUF75631S3S

HUF75631P3, HUF75631S3ST Data Sheet December 2001 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features SOURCE DRAIN DRAIN (FLANGE) Ultra Low On-Resistance GATE - rDS(ON) = 0.040 , VGS = 10V GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN (FLANGE) - Spice an

 5.1. Size:254K  fairchild semi
 huf75631sk8.pdf pdf_icon

HUF75631S3S

HUF75631SK8 Data Sheet December 2001 5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC MS-012AA Features BRANDING DASH Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.039 , VGS = 10V 5 Simulation Models 1 - Temperature Compensated PSPICE and SABER 2 Electrical Models 3 4 - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com Symbol

 5.2. Size:249K  fairchild semi
 huf75631sk8t.pdf pdf_icon

HUF75631S3S

HUF75631SK8 Data Sheet December 2001 5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC MS-012AA Features BRANDING DASH Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.039 , VGS = 10V 5 Simulation Models 1 - Temperature Compensated PSPICE and SABER 2 Electrical Models 3 4 - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com Symbol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQU5N40 , FDMC7582 , FQU5N60C , FDMQ8403 , FQU5P20 , FQU8P10 , FQU9N25 , HUF75542P3 , 2SK3878 , FDB86135 , HUF75639S3 , FDD86252 , HUF75842P3 , HUF75852G3 , HUFA75307T3ST , HUFA75321D3S , HUFA75344S3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.