Справочник MOSFET. DHS065N85B

 

DHS065N85B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHS065N85B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 85.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 535 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS065N85B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1177K  cn wxdh
 dhs065n85 dhs065n85f dhs065n85i dhs065n85e dhs065n85b dhs065n85d.pdf pdf_icon

DHS065N85B

DHS065N85/DHS065N85F/DHS065N85IDHS065N85E/DHS065N85B/DHS065N85D100A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =85VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 6.5mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 100AD2 Features

 5.1. Size:904K  cn wxdh
 dhs065n85p.pdf pdf_icon

DHS065N85B

DHS065N85P80A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =85VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 5.8mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 80AD2 Features Fast switching Low on resistance Low gate

 7.1. Size:672K  cn wxdh
 dhs065n10p.pdf pdf_icon

DHS065N85B

DHS065N10P80A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 6.5mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 80AD2 Features Fast switching Low on resistance Low g

 7.2. Size:784K  cn wxdh
 dhs065n10.pdf pdf_icon

DHS065N85B

DHS065N1095A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 7.4mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 95AD2 Features Fast switching Low on resistance Low ga

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.