I25N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: I25N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для I25N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

I25N10 даташит

 ..1. Size:1238K  cn wxdh
 25n10 f25n10 i25n10 e25n10 b25n10 d25n10.pdf pdf_icon

I25N10

25N10/F25N10/I25N10/ E25N10/B25N10/D25N10 25A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs Used V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with the R = 30m DS(on) TYP) RoHS standard. I = 25A D 2 Features Fast Switching Low ON Resistance(Rdson 36m )

 0.1. Size:4265K  cn szxunrui
 si25n10.pdf pdf_icon

I25N10

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET SI25N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TO-252 The SI25N10 uses advanced trench technology to provide D excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a S Battery protection or in other switching application. G Equivalent Circuit General Fea

Другие IGBT... F80N06, F8N50, F8N60, F8N65, FD120N10ZR, FN6005, I110N04, I20N50, 4435, I50N06, I630, I640, I740, I80N06, ID120N10ZR, IN6005, N6005