I25N10 - описание и поиск аналогов

 

I25N10 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: I25N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для I25N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

I25N10 технические параметры

 ..1. Size:1238K  cn wxdh
 25n10 f25n10 i25n10 e25n10 b25n10 d25n10.pdf pdf_icon

I25N10

25N10/F25N10/I25N10/ E25N10/B25N10/D25N10 25A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs Used V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with the R = 30m DS(on) TYP) RoHS standard. I = 25A D 2 Features Fast Switching Low ON Resistance(Rdson 36m )

 0.1. Size:4265K  cn szxunrui
 si25n10.pdf pdf_icon

I25N10

N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET SI25N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TO-252 The SI25N10 uses advanced trench technology to provide D excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a S Battery protection or in other switching application. G Equivalent Circuit General Fea

Другие MOSFET... F80N06 , F8N50 , F8N60 , F8N65 , FD120N10ZR , FN6005 , I110N04 , I20N50 , 4435 , I50N06 , I630 , I640 , I740 , I80N06 , ID120N10ZR , IN6005 , N6005 .

History: I80N06 | FBM80N70B

 

 
Back to Top

 


 
.