N6005D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: N6005D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1624 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для N6005D
N6005D Datasheet (PDF)
n6005 fn6005 in6005 en6005 n6005d n6005b.pdf

N6005/FN6005/IN6005EN6005/N6005D/N6005B180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 60VDSSadvanced Splite gate technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with GR = 2.2mDS(on) (TYP)1the RoHS standard.3 SI = 180AD2 Features Fast switching Low o
Другие MOSFET... I630 , I640 , I740 , I80N06 , ID120N10ZR , IN6005 , N6005 , N6005B , IRLZ44N , FBM80N70P , FBM80N70B , FBM85N80P , FBM85N80B , JMSL0315AP , JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06 | MDT100N06 | MPG100N06 | MPG100N03P | MPF7N65 | MPF4N65 | MP5N50 | MP13N50 | MDT80N06D | MDT40P10D | MDT35P10D
Popular searches
2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124