FBM80N70P - описание и поиск аналогов

 

FBM80N70P - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FBM80N70P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FBM80N70P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FBM80N70P технические параметры

 6.1. Size:1371K  1
 fbm80n70.pdf pdf_icon

FBM80N70P

FBM@ FBM80N70P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 70V/80A RDS(ON)= 6.0 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S D G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D Switching application Power Management for Inverter Systems. G N-Channel M

Другие MOSFET... I640 , I740 , I80N06 , ID120N10ZR , IN6005 , N6005 , N6005B , N6005D , IRF530 , FBM80N70B , FBM85N80P , FBM85N80B , JMSL0315AP , JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU , JMSL0315AUD .

History: FBM85N80B

 

 
Back to Top

 


 
.