FBM85N80P - аналоги и даташиты транзистора

 

FBM85N80P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FBM85N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 86 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 389 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FBM85N80P Datasheet (PDF)

 6.1. Size:1487K  1
 fbm85n80.pdf pdf_icon

FBM85N80P

FBM@FBM85N80P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 80V/90ARDS(ON)= 7.0 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedSDG Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.GN-Channel M

Другие MOSFET... I80N06 , ID120N10ZR , IN6005 , N6005 , N6005B , N6005D , FBM80N70P , FBM80N70B , IRFP450 , FBM85N80B , JMSL0315AP , JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU , JMSL0315AUD , JMSL0315AV , JMSL0401AG .

 

 
Back to Top

 


 
.