FBM85N80P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FBM85N80P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 389 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FBM85N80P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FBM85N80P даташит

 6.1. Size:1487K  1
 fbm85n80.pdf pdf_icon

FBM85N80P

FBM@ FBM85N80P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/90A RDS(ON)= 7.0 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S D G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D Switching application Power Management for Inverter Systems. G N-Channel M

Другие IGBT... I80N06, ID120N10ZR, IN6005, N6005, N6005B, N6005D, FBM80N70P, FBM80N70B, NCEP15T14, FBM85N80B, JMSL0315AP, JMSL0315APD, JMSL0315ARD, JMSL0315AU, JMSL0315AUD, JMSL0315AV, JMSL0401AG