Справочник MOSFET. JMSH0602AGQ

 

JMSH0602AGQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0602AGQ
   Маркировка: SH0602AQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 168 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 896 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH0602AGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0602AGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  jiejie micro
 jmsh0602agq.pdf pdf_icon

JMSH0602AGQ

JMSH0602AGQ60V 1.9m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 168 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 4.1. Size:345K  jiejie micro
 jmsh0602ag.pdf pdf_icon

JMSH0602AGQ

JMSH0602AG60V 1.9m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 175 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.9 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Indus

 5.1. Size:320K  jiejie micro
 jmsh0602aeq.pdf pdf_icon

JMSH0602AGQ

JMSH0602AEQ60V 2.0m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 224 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.0 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsTO-263-3L

 5.2. Size:407K  jiejie micro
 jmsh0602akq.pdf pdf_icon

JMSH0602AGQ

JMSH0602AKQ60V 2.2m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A RDS(ON) (@ VGS = 10V)2.2 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsTO-252-3L Top Vie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: JMSH0602PE

 

 
Back to Top

 


 
.