JMSH0602AGQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMSH0602AGQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 168 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 896 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для JMSH0602AGQ
JMSH0602AGQ Datasheet (PDF)
jmsh0602agq.pdf

JMSH0602AGQ60V 1.9m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 168 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.9 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications
jmsh0602ag.pdf

JMSH0602AG60V 1.9m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 175 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.9 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Indus
jmsh0602aeq.pdf

JMSH0602AEQ60V 2.0m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 224 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.0 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsTO-263-3L
jmsh0602akq.pdf

JMSH0602AKQ60V 2.2m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A RDS(ON) (@ VGS = 10V)2.2 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsTO-252-3L Top Vie
Другие MOSFET... JMSL0401AG , JMSL0401AGQ , JMSL0401BG , JMSL0401BGQ , JMSH0602AC , JMSH0602AE , JMSH0602AEQ , JMSH0602AG , RU6888R , JMSH0602AK , JMSH0602AKQ , JMSH0602PC , JMSH0602PE , JMSH0602PG , JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , JBE102G .
History: XP152A11E5MR-G | AONP38324 | JMSH0606PGDQ | AO3401MI-MS | WMJ36N60C4 | AOSX32128 | BSB053N03LPG
History: XP152A11E5MR-G | AONP38324 | JMSH0606PGDQ | AO3401MI-MS | WMJ36N60C4 | AOSX32128 | BSB053N03LPG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249