JBE102T - описание и поиск аналогов

 

JBE102T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JBE102T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 304 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1501 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для JBE102T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JBE102T даташит

 ..1. Size:517K  jiejie micro
jbe102t.pdfpdf_icon

JBE102T

JBE102T 100V 2.2mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 100% UIS Tested, 100% RgTested ID (@ VGS = 10V) (1) 240 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.2 mW

 8.1. Size:1023K  jiejie micro
jbe102y.pdfpdf_icon

JBE102T

JBE102Y 100V 3.1mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 183 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.1 mW Pb-free Lead Plating

 8.2. Size:1021K  jiejie micro
jbe102g.pdfpdf_icon

JBE102T

JBE102G 100V 2.3mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.3 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr

 9.1. Size:614K  jiejie micro
jbe103t.pdfpdf_icon

JBE102T

JBE103T 100V 3.0mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 184 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3 Pb-free Lead Plating mW

Другие MOSFET... JMSH0602AK , JMSH0602AKQ , JMSH0602PC , JMSH0602PE , JMSH0602PG , JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , JBE102G , 75N75 , JBE102Y , JBE103T , JBE111P , JBE112Q , JBE112T , JBE113P , JBL083M , JBL101N .

History: MMD65R900QRH | JMSH0602PG | IXFP90N20X3 | 4N65G-E-K08-5060-R | SUD40N10-25 | KCY3104S | SWD4N60D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.