JBE112T. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: JBE112T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 199 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1479 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для JBE112T
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JBE112T даташит
jbe112t.pdf
110V, 199A, 2.3m N-channel Power SGT MOSFET JBE112T Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 199 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manage
jbe112q.pdf
110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFET JBE112Q Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 220 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-26
jbe111p.pdf
110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JBE111P Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 294 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-26
jbe113p.pdf
100V, 175A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFET JBE113P Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 175 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Schem
Другие MOSFET... JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , JBE102G , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , JBE111P , JBE112Q , 7N60 , JBE113P , JBL083M , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG , JMSH0606AGQ , JMSH0606AK .
History: 4N60G-TND-R | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | HY3410PS | SWD070R08E7T | SUN0260D
History: 4N60G-TND-R | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | HY3410PS | SWD070R08E7T | SUN0260D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220




