JBE112T - аналоги и даташиты транзистора

 

JBE112T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JBE112T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 199 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1479 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JBE112T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JBE112T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1231K  jiejie micro
 jbe112t.pdf pdf_icon

JBE112T

110V, 199A, 2.3m N-channel Power SGT MOSFETJBE112TProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 199 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manage

 8.1. Size:1343K  jiejie micro
 jbe112q.pdf pdf_icon

JBE112T

110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFETJBE112QProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 220 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-26

 9.1. Size:1340K  jiejie micro
 jbe111p.pdf pdf_icon

JBE112T

110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFETJBE111PProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 294 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-26

 9.2. Size:1242K  jiejie micro
 jbe113p.pdf pdf_icon

JBE112T

100V, 175A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFETJBE113PProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 175 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSchem

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , JBE102G , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , JBE111P , JBE112Q , MMIS60R580P , JBE113P , JBL083M , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG , JMSH0606AGQ , JMSH0606AK .

History: IRF200S234 | FDI3632 | FDG328P | JBE102T | SIHG33N60EF | FDG332PZ | JBE102Y

 

 
Back to Top

 


 
.