JMPF4N65BJ - описание и поиск аналогов

 

JMPF4N65BJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JMPF4N65BJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.64 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для JMPF4N65BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPF4N65BJ даташит

 ..1. Size:384K  jiejie micro
jmpf4n65bj.pdfpdf_icon

JMPF4N65BJ

JMPF4N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 4A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:1004K  jiejie micro
jmpf4n60bj.pdfpdf_icon

JMPF4N65BJ

JMPF4N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 4A Load Switch RDS(ON)

Другие MOSFET... JMSL0303AK , JMSL0303AU , JMSL0303TG , JMSL0303TU , JMPF20N60BJ , JMPF20N65BJ , JMPF25N50BJ , JMPF4N60BJ , IRF9540 , JMPF5N50BJ , JMPF630BJ , JMPF7N65BJ , JMPF840BJ , JMPF8N60BJ , JMPL1050AE , JMPL1050AG , JMPL1050AGQ .

History: 2SJ279S | WMS08P03T1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.