JMPF630BJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMPF630BJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для JMPF630BJ
JMPF630BJ Datasheet (PDF)
jmpf630bj.pdf

200V, 8.3A, 280m N-channel Power Planar MOSFETJMPF630BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 8.3 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 280 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG S
Другие MOSFET... JMSL0303TG , JMSL0303TU , JMPF20N60BJ , JMPF20N65BJ , JMPF25N50BJ , JMPF4N60BJ , JMPF4N65BJ , JMPF5N50BJ , 8205A , JMPF7N65BJ , JMPF840BJ , JMPF8N60BJ , JMPL1050AE , JMPL1050AG , JMPL1050AGQ , JMPL1050AK , JMPL1050AKQ .
History: 2SK2663 | AONP38324 | AOSX32128 | JMSH0606PGDQ | BSB053N03LPG | WMJ36N60C4 | AO3401MI-MS
History: 2SK2663 | AONP38324 | AOSX32128 | JMSH0606PGDQ | BSB053N03LPG | WMJ36N60C4 | AO3401MI-MS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198