Справочник MOSFET. JMPF630BJ

 

JMPF630BJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMPF630BJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JMPF630BJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPF630BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1235K  jiejie micro
 jmpf630bj.pdf pdf_icon

JMPF630BJ

200V, 8.3A, 280m N-channel Power Planar MOSFETJMPF630BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 8.3 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 280 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG S

Другие MOSFET... JMSL0303TG , JMSL0303TU , JMPF20N60BJ , JMPF20N65BJ , JMPF25N50BJ , JMPF4N60BJ , JMPF4N65BJ , JMPF5N50BJ , IRFP260 , JMPF7N65BJ , JMPF840BJ , JMPF8N60BJ , JMPL1050AE , JMPL1050AG , JMPL1050AGQ , JMPL1050AK , JMPL1050AKQ .

History: SIHG30N60E | 630

 

 
Back to Top

 


 
.