JMH65R980APLN - описание и поиск аналогов

 

JMH65R980APLN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JMH65R980APLN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm

Тип корпуса: DFN8080-4L

Аналог (замена) для JMH65R980APLN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R980APLN даташит

 ..1. Size:323K  jiejie micro
 jmh65r980apln.pdf pdf_icon

JMH65R980APLN

JMH65R980APLN 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 890 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J

 4.1. Size:323K  jiejie micro
 jmh65r980af.pdf pdf_icon

JMH65R980APLN

JMH65R980AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J H

 4.2. Size:315K  jiejie micro
 jmh65r980acfp.pdf pdf_icon

JMH65R980APLN

JMH65R980ACFP 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J

 4.3. Size:338K  jiejie micro
 jmh65r980akq.pdf pdf_icon

JMH65R980APLN

JMH65R980AKQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 820 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMPL1025AK , JMH65R600MF , JMH65R600MK , JMH65R640AK , JMH65R980ACFP , JMH65R980AF , JMH65R980AK , JMH65R980AKQ , AO3400A , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , JBE084M , JMSH0803AGS , JMSH0803MC , JMSH0803ME .

History: WMQ50P03T1 | XP162A12A6PR-G | SUP75N06-08 | RF1S70N06 | SUD50N10-34P | 2SK2607 | OSG60R074HZF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.