JMH65R980APLN - аналоги и даташиты транзистора

 

JMH65R980APLN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMH65R980APLN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm
   Тип корпуса: DFN8080-4L
 

 Аналог (замена) для JMH65R980APLN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R980APLN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  jiejie micro
 jmh65r980apln.pdf pdf_icon

JMH65R980APLN

JMH65R980APLN650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)890 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J

 4.1. Size:323K  jiejie micro
 jmh65r980af.pdf pdf_icon

JMH65R980APLN

JMH65R980AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J H

 4.2. Size:315K  jiejie micro
 jmh65r980acfp.pdf pdf_icon

JMH65R980APLN

JMH65R980ACFP650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J

 4.3. Size:338K  jiejie micro
 jmh65r980akq.pdf pdf_icon

JMH65R980APLN

JMH65R980AKQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)820 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMPL1025AK , JMH65R600MF , JMH65R600MK , JMH65R640AK , JMH65R980ACFP , JMH65R980AF , JMH65R980AK , JMH65R980AKQ , RU6888R , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , JBE084M , JMSH0803AGS , JMSH0803MC , JMSH0803ME .

History: 2SK3906 | 2SK389 | SHD225603 | BSL205N | DH100P28B | IRFS840 | P0604BD

 

 
Back to Top

 


 
.