JBL102E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JBL102E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 246 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1318 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: TOLL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JBL102E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JBL102E даташит

 ..1. Size:1079K  jiejie micro
 jbl102e.pdf pdf_icon

JBL102E

JBL102E 100V 2.0mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 246 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.0 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr

 8.1. Size:1062K  jiejie micro
 jbl102t.pdf pdf_icon

JBL102E

JBL102T 100V 1.8mW TOLL N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 272 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.8 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Telecom., Indust

 8.2. Size:557K  jiejie micro
 jbl102y.pdf pdf_icon

JBL102E

JBL102Y 100V 2.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.7 Pb-free Lead Plating m

 9.1. Size:788K  jiejie micro
 jbl101n.pdf pdf_icon

JBL102E

JBL101N 100V 1.2mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 325 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.2 mW Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH1565AGS, JMSH1565AKS, JMSH1565AKSQ, JMSH1565APS, JMSH1565AUS, JMSH1566AG, JMSH1566AK, JMSH1566AKQ, IRFP260N, JBL102T, JBL102Y, JBL111P, JBL112T, JBL113P, JMCL0410AGD, JMCL0410AUD, JMH65R030PSFD