JMPC25N50BJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMPC25N50BJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для JMPC25N50BJ
JMPC25N50BJ Datasheet (PDF)
jmpc25n50bj.pdf
JMPC25N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 25A Load SwitchRDS(ON)
jmpc25n60bj.pdf
600V, 25A, 282m N-channel Power Planar MOSFETJMPC25N60BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 600 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 25 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 282 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG S
jmpc20n60bj.pdf
JMPC20N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 20A Load SwitchRDS(ON)
jmpc20n65bj.pdf
JMPC20N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 20A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMPC13N50BJ , JMPC15N50BJ , JMPC16N60BJ , JMPC16N65BJ , JMPC18N20BJ , JMPC18N50BJ , JMPC20N60BJ , JMPC20N65BJ , IRFB3607 , JMPC25N60BJ , JMPC28N20BJ , JMSH0601AG , JMSH0601AGQ , JMSH0601ATL , JMSH0601ATLQ , JMSH0601BG , JMSH0601BGQ .
History: JMSH1001AE7
History: JMSH1001AE7
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP40P04DF | AP40P04D | AP40P03DF | AP40P02D | AP40N20MP | AP40N10P | AP40N03S | AP40N02D | AP30P03D | AP30P02DF | AP30P01DF | AP30N20P | AP30N15D | AP30N10Y | AP260N12TLG1 | AP6G03LI
Popular searches
2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124






