JMPC25N50BJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMPC25N50BJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для JMPC25N50BJ
JMPC25N50BJ Datasheet (PDF)
jmpc25n50bj.pdf
JMPC25N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 25A Load Switch RDS(ON)
jmpc25n60bj.pdf
600V, 25A, 282m N-channel Power Planar MOSFET JMPC25N60BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 600 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 25 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 282 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S
jmpc20n60bj.pdf
JMPC20N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 20A Load Switch RDS(ON)
jmpc20n65bj.pdf
JMPC20N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 20A Load Switch RDS(ON)
Другие MOSFET... JMPC13N50BJ , JMPC15N50BJ , JMPC16N60BJ , JMPC16N65BJ , JMPC18N20BJ , JMPC18N50BJ , JMPC20N60BJ , JMPC20N65BJ , K4145 , JMPC25N60BJ , JMPC28N20BJ , JMSH0601AG , JMSH0601AGQ , JMSH0601ATL , JMSH0601ATLQ , JMSH0601BG , JMSH0601BGQ .
History: DSP018N04LA | PSMN0R9-30ULD
History: DSP018N04LA | PSMN0R9-30ULD
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124






