Справочник MOSFET. JMPE18N20BJ

 

JMPE18N20BJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMPE18N20BJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.157 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMPE18N20BJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPE18N20BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1338K  jiejie micro
 jmpe18n20bj.pdf pdf_icon

JMPE18N20BJ

200V, 23A, 121m N-channel Power Planar MOSFETJMPE18N20BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 23 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 121 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG S

Другие MOSFET... JMSH1504ATLQ , JMSH1504CTL , JMSH1504NC , JMSH1504NE , JMSH1504NE7 , JMSH1504NS , JMSH1504NTL , JMSH1505ATL , IRF830 , JMPE34N20BJ , JMPF10N60BJ , JMPF10N65BJ , JMPF12N60BJ , JMPF12N65BJ , JMPF13N50BJ , JMPF15N50BJ , JMPF16N60BJ .

 

 
Back to Top

 


 
.