Справочник MOSFET. JMPE34N20BJ

 

JMPE34N20BJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMPE34N20BJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMPE34N20BJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPE34N20BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1340K  jiejie micro
 jmpe34n20bj.pdf pdf_icon

JMPE34N20BJ

200V, 35A, 66m N-channel Power Planar MOSFETJMPE34N20BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 35 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 66 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

Другие MOSFET... JMSH1504CTL , JMSH1504NC , JMSH1504NE , JMSH1504NE7 , JMSH1504NS , JMSH1504NTL , JMSH1505ATL , JMPE18N20BJ , K2611 , JMPF10N60BJ , JMPF10N65BJ , JMPF12N60BJ , JMPF12N65BJ , JMPF13N50BJ , JMPF15N50BJ , JMPF16N60BJ , JMPF16N65BJ .

 

 
Back to Top

 


 
.