JMPE34N20BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPE34N20BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMPE34N20BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPE34N20BJ даташит

 ..1. Size:1340K  jiejie micro
 jmpe34n20bj.pdf pdf_icon

JMPE34N20BJ

200V, 35A, 66m N-channel Power Planar MOSFET JMPE34N20BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 35 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 66 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

Другие IGBT... JMSH1504CTL, JMSH1504NC, JMSH1504NE, JMSH1504NE7, JMSH1504NS, JMSH1504NTL, JMSH1505ATL, JMPE18N20BJ, 8N60, JMPF10N60BJ, JMPF10N65BJ, JMPF12N60BJ, JMPF12N65BJ, JMPF13N50BJ, JMPF15N50BJ, JMPF16N60BJ, JMPF16N65BJ