JMH65R110AEFD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMH65R110AEFD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMH65R110AEFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R110AEFD даташит

 ..1. Size:358K  jiejie micro
 jmh65r110acfd jmh65r110aefd.pdf pdf_icon

JMH65R110AEFD

JMH65R110ACFD JMH65R110AEFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 98 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V

 0.1. Size:278K  jiejie micro
 jmh65r110aefdq.pdf pdf_icon

JMH65R110AEFD

JMH65R110AEFDQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 98 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 7.8 J H

 4.1. Size:320K  jiejie micro
 jmh65r110acfdq.pdf pdf_icon

JMH65R110AEFD

JMH65R110ACFDQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 99 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 7.8 J Ha

 4.2. Size:328K  jiejie micro
 jmh65r110asfd.pdf pdf_icon

JMH65R110AEFD

JMH65R110ASFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 95 mW Pb-free Lead Plating Eoss@400V 7.8 mJ Haloge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH1535AG, JMSH1535AGQ, JMH65R090PCFD, JMH65R090PFFD, JMH65R090PPLNFD, JMH65R090PSFD, JMH65R090PZFFD, JMH65R110ACFD, 2N7000, JMH65R110ACFDQ, JMH65R110AEFDQ, JMH65R110APLNFD, JMH65R110ASFD, JMH65R110PCFD, JMH65R110PEFD, JMH65R110PFFD, JMH65R110PPLNFD