Справочник MOSFET. JMH65R110AEFD

 

JMH65R110AEFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMH65R110AEFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMH65R110AEFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R110AEFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  jiejie micro
 jmh65r110acfd jmh65r110aefd.pdf pdf_icon

JMH65R110AEFD

JMH65R110ACFDJMH65R110AEFD650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)98 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V

 0.1. Size:278K  jiejie micro
 jmh65r110aefdq.pdf pdf_icon

JMH65R110AEFD

JMH65R110AEFDQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)98 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V7.8 J H

 4.1. Size:320K  jiejie micro
 jmh65r110acfdq.pdf pdf_icon

JMH65R110AEFD

JMH65R110ACFDQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)99 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V7.8 J Ha

 4.2. Size:328K  jiejie micro
 jmh65r110asfd.pdf pdf_icon

JMH65R110AEFD

JMH65R110ASFD650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)95 mW Pb-free Lead Plating Eoss@400V7.8 mJ Haloge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH1535AG , JMSH1535AGQ , JMH65R090PCFD , JMH65R090PFFD , JMH65R090PPLNFD , JMH65R090PSFD , JMH65R090PZFFD , JMH65R110ACFD , IRF9540 , JMH65R110ACFDQ , JMH65R110AEFDQ , JMH65R110APLNFD , JMH65R110ASFD , JMH65R110PCFD , JMH65R110PEFD , JMH65R110PFFD , JMH65R110PPLNFD .

 

 
Back to Top

 


 
.