JMH65R110ASFD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMH65R110ASFD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMH65R110ASFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R110ASFD даташит

 ..1. Size:328K  jiejie micro
 jmh65r110asfd.pdf pdf_icon

JMH65R110ASFD

JMH65R110ASFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 95 mW Pb-free Lead Plating Eoss@400V 7.8 mJ Haloge

 4.1. Size:358K  jiejie micro
 jmh65r110acfd jmh65r110aefd.pdf pdf_icon

JMH65R110ASFD

JMH65R110ACFD JMH65R110AEFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 98 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V

 4.2. Size:320K  jiejie micro
 jmh65r110acfdq.pdf pdf_icon

JMH65R110ASFD

JMH65R110ACFDQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 99 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 7.8 J Ha

 4.3. Size:299K  jiejie micro
 jmh65r110aplnfd.pdf pdf_icon

JMH65R110ASFD

JMH65R110APLNFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 95 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 7.8 J

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMH65R090PPLNFD, JMH65R090PSFD, JMH65R090PZFFD, JMH65R110ACFD, JMH65R110AEFD, JMH65R110ACFDQ, JMH65R110AEFDQ, JMH65R110APLNFD, IRF630, JMH65R110PCFD, JMH65R110PEFD, JMH65R110PFFD, JMH65R110PPLNFD, JMSH040SAG, JMSH040SAGQ, JMSH040SPG, JMSH040SPGQ