Справочник MOSFET. JMH65R190AW

 

JMH65R190AW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMH65R190AW
   Маркировка: H65R190A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 189 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для JMH65R190AW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R190AW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  jiejie micro
 jmh65r190aw.pdf pdf_icon

JMH65R190AW

JMH65R190AW650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)170 m Eoss@400V5.2 J Pb-free Lead Plating Halog

 4.1. Size:332K  jiejie micro
 jmh65r190ae.pdf pdf_icon

JMH65R190AW

JMH65R190AE650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)170 m Eoss@400V5.2 J Pb-free Lead Plating Halog

 4.2. Size:347K  jiejie micro
 jmh65r190af.pdf pdf_icon

JMH65R190AW

JMH65R190AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V5.2 J Pb-free Lead Plating Hal

 4.3. Size:358K  jiejie micro
 jmh65r190apln.pdf pdf_icon

JMH65R190AW

JMH65R190APLN650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 17.4 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)169 m Eoss@400V5.2 J Pb-free Lead Plating H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMH65R190ACFDQ , JMH65R190ACFP , JMH65R190AE , JMH65R190AF , JMH65R190AFFD , JMH65R190APLN , JMH65R190APLNFD , JMH65R190AS , STP65NF06 , JMH65R190PCFD , JMH65R190PEFD , JMH65R190PFFD , JMH65R190PSFD , JMSH1204PC , JMSH1204PE , JMSH1204PTL , JMSH1207AC .

 

 
Back to Top

 


 
.