Справочник MOSFET. JMSH0401MGQ

 

JMSH0401MGQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0401MGQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 157 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 223 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1979 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH0401MGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0401MGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1203K  jiejie micro
jmsh0401mgq.pdfpdf_icon

JMSH0401MGQ

40V, 223A, 1.4m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0401MGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 VVGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS TestedID(@VGS=10V) 223 A 100% Vds TestedRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.4 mW Halogen-free; RoHS-compliant AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applicat

 6.1. Size:324K  jiejie micro
jmsh0401cg.pdfpdf_icon

JMSH0401MGQ

JMSH0401CG40V 1.1m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct Summary Ultra-low RDS(ON)Parameter Value Unit VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 240 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V)1.1 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communicat

 6.2. Size:401K  jiejie micro
jmsh0401agq.pdfpdf_icon

JMSH0401MGQ

JMSH0401AGQ40V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 197 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 6.3. Size:1174K  jiejie micro
jmsh0401pts.pdfpdf_icon

JMSH0401MGQ

40V, 361A, 0.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0401PTSProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 361 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSch

Другие MOSFET... JMSH0401AGQ , JMSH0401ATL , JMSH0401ATLQ , JMSH0401ATSQ , JMSH0401BG , JMSH0401BGQ , JMSH0401CG , JMSH0401CGQ , IRF640 , JMSH0401PE , JMSH0401PG , JMSH0401PGQ , JMSH0401PTS , JMSH0401PTSQ , JMSH1003AE7Q , JMSH1003AG , JMSH1003AGQ .

 

 
Back to Top

 


 
.