JMH65R430AE - аналоги и даташиты транзистора

 

JMH65R430AE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMH65R430AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMH65R430AE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R430AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  jiejie micro
 jmh65r430ae.pdf pdf_icon

JMH65R430AE

JMH65R430AE650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)364 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating Hal

 4.1. Size:350K  jiejie micro
 jmh65r430af.pdf pdf_icon

JMH65R430AE

JMH65R430AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)364 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating Hal

 4.2. Size:341K  jiejie micro
 jmh65r430acfp.pdf pdf_icon

JMH65R430AE

JMH65R430ACFP650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)364 m Eoss@400V2.2 J Pb-free Lead Plating H

 4.3. Size:359K  jiejie micro
 jmh65r430akq.pdf pdf_icon

JMH65R430AE

JMH65R430AKQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.2 A Ultra Fast Body Diode RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)370 m Eoss@400V2.2 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH1018AG , JMSH1018PC , JMSH1018PE , JMSH1018PG , JMSH1018PGD , JMSH1018PGQ , JMSH1018PK , JMSH1018PP , 2N7002 , JMH65R430AF , JMH65R430AK , JMH65R430AKQ , JMH65R430APLN , JMPC34N20BJ , JMPC4N60BJ , JMPC4N65BJ , JMPC52N20BJ .

 

 
Back to Top

 


 
.