JMPC630BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPC630BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.296 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JMPC630BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPC630BJ даташит

 ..1. Size:1256K  jiejie micro
 jmpc630bj.pdf pdf_icon

JMPC630BJ

200V, 9A, 228m N-channel Power Planar MOSFET JMPC630BJ Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 200 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 9 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 228 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

Другие IGBT... JMH65R430AK, JMH65R430AKQ, JMH65R430APLN, JMPC34N20BJ, JMPC4N60BJ, JMPC4N65BJ, JMPC52N20BJ, JMPC5N50BJ, 10N65, JMPC7N65BJ, JMPC840BJ, JMPC8N60BJ, JMSH1004AC, JMSH1004AE, JMSH1004AEQ, JMSH1004BC, JMSH1004BE