Справочник MOSFET. JMPC630BJ

 

JMPC630BJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMPC630BJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.296 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JMPC630BJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPC630BJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1256K  jiejie micro
 jmpc630bj.pdf pdf_icon

JMPC630BJ

200V, 9A, 228m N-channel Power Planar MOSFETJMPC630BJProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 9 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 228 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

Другие MOSFET... JMH65R430AK , JMH65R430AKQ , JMH65R430APLN , JMPC34N20BJ , JMPC4N60BJ , JMPC4N65BJ , JMPC52N20BJ , JMPC5N50BJ , STP80NF70 , JMPC7N65BJ , JMPC840BJ , JMPC8N60BJ , JMSH1004AC , JMSH1004AE , JMSH1004AEQ , JMSH1004BC , JMSH1004BE .

History: JMTG062N04D

 

 
Back to Top

 


 
.