JMPC8N60BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPC8N60BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.29 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JMPC8N60BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPC8N60BJ даташит

 ..1. Size:1042K  jiejie micro
 jmpc8n60bj.pdf pdf_icon

JMPC8N60BJ

JMPC8N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 8A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1045K  jiejie micro
 jmpc840bj.pdf pdf_icon

JMPC8N60BJ

JMPC840BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 9A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMPC34N20BJ, JMPC4N60BJ, JMPC4N65BJ, JMPC52N20BJ, JMPC5N50BJ, JMPC630BJ, JMPC7N65BJ, JMPC840BJ, SI2302, JMSH1004AC, JMSH1004AE, JMSH1004AEQ, JMSH1004BC, JMSH1004BE, JMSH1004BEQ, JMSH1004BG, JMSH1004BGQ