JMSH0402PG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH0402PG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 202 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2042 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSH0402PG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0402PG даташит

 ..1. Size:1190K  jiejie micro
jmsh0402pg.pdfpdf_icon

JMSH0402PG

40V, 202A, 1.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0402PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 202 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN

 6.1. Size:332K  jiejie micro
jmsh0402bgq.pdfpdf_icon

JMSH0402PG

JMSH0402BGQ 40V 2.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Typ. Unit VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th) 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 166 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-

 6.2. Size:353K  jiejie micro
jmsh0402akq.pdfpdf_icon

JMSH0402PG

JMSH0402AKQ 40V 2.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 170 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 6.3. Size:335K  jiejie micro
jmsh0402aeq.pdfpdf_icon

JMSH0402PG

JMSH0402AEQ 40V 1.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th) 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 253 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications TO-263-3L

Другие IGBT... JMSH1004NC, JMSH1004NE, JMSH1004NG, JMSH1004RG, JMSH0402AEQ, JMSH0402AGQ, JMSH0402AKQ, JMSH0402BGQ, IRF830, JMSH0403AG, JMSH0403AGHWQ, JMSH0403AGQ, JMSH0403BG, JMSH0403BGQ, JMSH0403PG, JMSH0403PGHW, JMSH0403PGHWQ